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NSD2622N-DQAER - NOVOSENSE
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图片信息
NSD2622N-DQAER 图片
NSD2622N-DQAER
  • 制造厂家：NOVOSENSE (纳芯微)
  • 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:30-QFN（5x7）
  • 技术参数：HALF BRIDGE GAN GATE DRIVER
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NSD2622N-DQAER 技术参数详情：
  • 型号:NSD2622N-DQAER
  • 品牌:NOVOSENSE (NOVOSENSE,纳芯微)
  • 封装:30-QFN（5x7）
  • 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
  • 描述:HALF BRIDGE GAN GATE DRIVER
  • 系列:-
  • 包装:
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:-
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
  • 电压 - 供电:5V ~ 15V
  • 逻辑电压- VIL，VIH:1.3V，1.7V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，4A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）:700 V
  • 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，6.5ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:30-PowerVFQFN
  • 供应商器件封装:30-QFN（5x7）
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