射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
NP82N06NLG-S18-AY - NEC
NEC代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
NEC产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
NP82N06NLG-S18-AY 图片
NP82N06NLG-S18-AY
  • 制造厂家：NEC (日本电气)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-262
  • 技术参数：MOSFET N-CH 60V 82A TO262
  • 需要NP82N06NLG-S18-AY的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
NP82N06NLG-S18-AY 技术参数详情：
  • 型号:NP82N06NLG-S18-AY
  • 品牌:NEC公司 (NEC Corporation, 日本电气)
  • 封装:TO-262
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 82A TO262
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):82A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.4 毫欧 @ 41A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8550 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta），143W（Tc）
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-262
  • 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
  • 快速提供NP82N06NLG-S18-AY专业且全面的报价，NEC代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
NEC品牌LOGO
更多NEC产品：
NEC公司授权代理商
Taoglas
Oslo Switch
City Technology
Apex Tool Group
Toshiba
NP82N06NLG-S18-AY（制造商：NEC） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台