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NP82N055NUG-S18-AY - NEC
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图片信息
NP82N055NUG-S18-AY 图片
NP82N055NUG-S18-AY
  • 制造厂家：NEC (日本电气)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-262
  • 技术参数：MOSFET N-CH 55V 82A TO262
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NP82N055NUG-S18-AY 技术参数详情：
  • 型号:NP82N055NUG-S18-AY
  • 品牌:NEC公司 (NEC Corporation, 日本电气)
  • 封装:TO-262
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 55V 82A TO262
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):82A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 41A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9600 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta），143W（Tc）
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-262
  • 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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