射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
BZD27C7V5P-HE3_A08 - Mitsubishi
Mitsubishi代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Mitsubishi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
BZD27C7V5P-HE3_A08 图片
BZD27C7V5P-HE3_A08
  • 制造厂家：Mitsubishi (Mitsubishi Materials, 三菱电机)
  • 类别封装：电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:DO-219AB（SMF）
  • 技术参数：TVS DIODE 6.2VWM 11.3V DO219AB
  • 需要BZD27C7V5P-HE3_A08的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
BZD27C7V5P-HE3_A08 技术参数详情：
  • 型号:BZD27C7V5P-HE3_A08
  • 品牌:Mitsubishi Electric Europe B.V. (Mitsubishi Electric,三菱电机)
  • 封装:DO-219AB（SMF）
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 6.2VWM 11.3V DO219AB
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态（典型值）:6.2V（最大）
  • 电压 - 击穿（最小值）:7V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:11.3V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):13.3A
  • 功率 - 峰值脉冲:150W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:-
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-65°C ~ 175°C（TA）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-219AB
  • 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）
  • 快速提供BZD27C7V5P-HE3_A08专业且全面的报价，Mitsubishi代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Mitsubishi品牌LOGO
更多Mitsubishi产品：
Mitsubishi公司授权代理商
WERMA
ODU
Semitec
City Technology
Diamond Systems
BZD27C7V5P-HE3_A08（制造商：Mitsubishi） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台