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BZD27B82P-HE3_A18 - Mitsubishi
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图片信息
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BZD27B82P-HE3_A18
  • 制造厂家：Mitsubishi (Mitsubishi Materials, 三菱电机)
  • 类别封装：电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:DO-219AB（SMF）
  • 技术参数：TVS DIODE 68VWM 110VC DO219AB
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BZD27B82P-HE3_A18 技术参数详情：
  • 型号:BZD27B82P-HE3_A18
  • 品牌:Mitsubishi Electric Europe B.V. (Mitsubishi Electric,三菱电机)
  • 封装:DO-219AB（SMF）
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 68VWM 110VC DO219AB
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态（典型值）:68V（最高）
  • 电压 - 击穿（最小值）:80.36V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:110V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):1.3A
  • 功率 - 峰值脉冲:150W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:-
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-65°C ~ 175°C（TA）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-219AB
  • 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）
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