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SG2823J - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
SG2823J 图片
SG2823J
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管（BJT） - 阵列，-
  • 技术参数：TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
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SG2823J 技术参数详情：
  • Microsemi美高森美完整型号: SG2823J
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 功能总体简述: TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
  • 系列: -
  • 晶体管类型: 8 NPN 达林顿
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 500mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）: 95V
  • 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 1.6V @ 500A，350mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）: -
  • 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 1000 @ 350mA，2V
  • 功率 - 最大值: -
  • 频率 - 跃迁: -
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: -
  • 供应商器件封装: 18-CDIP
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