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S200-50 - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
S200-50 图片
S200-50
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 射频，封装：55HX
  • 技术参数：RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX
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S200-50 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：S200-50
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压-集射极击穿（最大值）：110V
  • 频率-跃迁：1.5MHz ~ 30MHz
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
  • 增益：12dB ~ 14.5dB
  • 功率-最大值：320W
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：10 @ 1A，5V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：55HX
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