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MXPLAD30KP260AE3 - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
MXPLAD30KP260AE3 图片
MXPLAD30KP260AE3
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：TVS - 二极管，封装：非标准型 SMD
  • 技术参数：TVS DIODE 260V 419V PLAD
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MXPLAD30KP260AE3 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MXPLAD30KP260AE3
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：TVS DIODE 260V 419V PLAD
  • 系列：TVS - 二极管
  • 产品系列：Military, MIL-PRF-19500
  • 零件状态：有源
  • 类型：齐纳
  • 单向通道：1
  • 双向通道：-
  • 电压-反向断态（典型值）：260V
  • 电压-击穿（最小值）：289V
  • 不同Ipp时电压-箝位（最大值）：419V
  • 电流-峰值脉冲(10/1000s)：71A
  • 功率-峰值脉冲：30000W（30kW）
  • 电源线路保护：无
  • 应用：通用
  • 不同频率时电容：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：非标准型 SMD
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