MXP4KE8.2AE3 - Microsemi
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图片信息
MXP4KE8.2AE3
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
二极管TVS,DO-204AL
技术参数:
TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41
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MXP4KE8.2AE3 技术参数详情:
Microsemi美高森美完整型号:MXP4KE8.2AE3
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41
系列:军用, MIL-PRF-19500
类型:齐纳
单向通道:1
双向通道:-
电压 - 反向关态(典型值):7.02V
电压 - 击穿(最小值):7.79V
电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:12.1V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs):33A
功率 - 峰值脉冲:400W
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时的电容:-
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装:DO-204AL(DO-41)
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