MXLSMCJ12AE3 - Microsemi
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图片信息
MXLSMCJ12AE3
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
二极管TVS,DO-214AB
技术参数:
TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AB
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MXLSMCJ12AE3 技术参数详情:
Microsemi美高森美完整型号:MXLSMCJ12AE3
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AB
系列:军用, MIL-PRF-19500
类型:齐纳
单向通道:1
双向通道:-
电压 - 反向关态(典型值):12V
电压 - 击穿(最小值):13.3V
电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:19.9V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs):75.3A
功率 - 峰值脉冲:1500W (1.5kW)
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时的电容:-
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DO-214AB,SMC
供应商器件封装:DO-214AB (SMCJ)
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