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MXLSMCGLCE8.0AE3 - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
MXLSMCGLCE8.0AE3 图片
MXLSMCGLCE8.0AE3
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：二极管TVS，SMCG
  • 技术参数：TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AB
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MXLSMCGLCE8.0AE3 技术参数详情：
  • Microsemi美高森美完整型号：MXLSMCGLCE8.0AE3
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AB
  • 系列：军用， MIL-PRF-19500
  • 类型：齐纳
  • 单向通道：1
  • 双向通道：-
  • 电压 - 反向关态（典型值）：8V
  • 电压 - 击穿（最小值）：8.89V
  • 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp：13.6V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)：100A
  • 功率 - 峰值脉冲：1500W （1.5kW）
  • 电源线路保护：无
  • 应用：通用
  • 不同频率时的电容：100pF @ 1MHz
  • 工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DO-215AB，SMC 鸥翼型
  • 供应商器件封装：SMCG (DO-215AB）
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