MSMBJ2K3.3E3 - Microsemi
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图片信息
MSMBJ2K3.3E3
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
TVS - 二极管,封装:DO-214AA,SMB
技术参数:
TVS DIODE 3.3V 5.8V DO214AA
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MSMBJ2K3.3E3 技术参数详情:
制造商产品型号:MSMBJ2K3.3E3
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:TVS DIODE 3.3V 5.8V DO214AA
系列:TVS - 二极管
产品系列:Military, MIL-PRF-19500
零件状态:停产
类型:齐纳
单向通道:1
双向通道:-
电压-反向断态(典型值):3.3V
电压-击穿(最小值):4.6V
不同Ipp时电压-箝位(最大值):5.8V
电流-峰值脉冲(10/1000s):10A(8/20s)
功率-峰值脉冲:2000W(2kW)
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时电容:-
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:DO-214AA,SMB
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