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MRF581G - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
MRF581G 图片
MRF581G
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 射频，封装：微型-X 陶瓷 84C
  • 技术参数：RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
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MRF581G 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MRF581G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压-集射极击穿（最大值）：18V
  • 频率-跃迁：5GHz
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
  • 增益：13dB ~ 15.5dB
  • 功率-最大值：1.25W
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：50 @ 50mA，5V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：200mA
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：微型-X 陶瓷 84C
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