MRF5812G - Microsemi
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图片信息
MRF5812G
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
晶体管 - 双极(BJT)- 射频,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
技术参数:
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
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MRF5812G 技术参数详情:
制造商产品型号:MRF5812G
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
系列:晶体管 - 双极(BJT)- 射频
零件状态:停产
晶体管类型:NPN
电压-集射极击穿(最大值):15V
频率-跃迁:5GHz
噪声系数(dB,不同f时的典型值):2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益:13dB ~ 15.5dB
功率-最大值:1.25W
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):50 @ 50mA,5V
电流-集电极(Ic)(最大值):200mA
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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