JANTXV1N6109AUS - Microsemi
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图片信息
JANTXV1N6109AUS
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管,封装:B,SQ-MELF
技术参数:
TVS DIODE 9.9VWM 18.2V B SQMELF
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JANTXV1N6109AUS 技术参数详情:
型号:JANTXV1N6109AUS
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:B,SQ-MELF
类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
描述:TVS DIODE 9.9VWM 18.2V B SQMELF
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
类型:齐纳
单向通道:-
双向通道:1
电压 - 反向断态(典型值):9.9V
电压 - 击穿(最小值):12.35V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):18.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):27.5A
功率 - 峰值脉冲:500W
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时电容:-
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:军用
资质:MIL-PRF-19500/516
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SQ-MELF,B
供应商器件封装:B,SQ-MELF
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