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JAN2N7334 - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
JAN2N7334 图片
JAN2N7334
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：14-DIP（0.300，7.62mm）
  • 技术参数：MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
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JAN2N7334 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：JAN2N7334
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：Military, MIL-PRF-19500/597
  • 零件状态：有源
  • FET类型：4 个 N 通道
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：1A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：700 毫欧 @ 600mA，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • 功率-最大值：1.4W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：14-DIP（0.300，7.62mm）
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