JAN2N6790 - Microsemi
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图片信息
JAN2N6790
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-39
技术参数:
MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39
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JAN2N6790 技术参数详情:
制造商产品型号:JAN2N6790
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:Military, MIL-PRF-19500/555
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):200V
25°C时电流-连续漏极(Id):3.5A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):850 毫欧 @ 3.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):14.3nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
FET功能:-
功率耗散(最大值):800mW(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:TO-39
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