射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
JAN1N6471US - Microsemi
Microsemi代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
JAN1N6471US 图片
JAN1N6471US
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:G-MELF（D-5C）
  • 技术参数：TVS DIODE 12VWM 22.6VC GMELF
  • 需要JAN1N6471US的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
JAN1N6471US 技术参数详情：
  • 型号:JAN1N6471US
  • 品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
  • 封装:G-MELF（D-5C）
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 12VWM 22.6VC GMELF
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态（典型值）:12V
  • 电压 - 击穿（最小值）:13.6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:22.6V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):374A（8/20s）
  • 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:军用
  • 资质:MIL-PRF-19500/552
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SQ-MELF，G
  • 供应商器件封装:G-MELF（D-5C）
  • 快速提供JAN1N6471US专业且全面的报价，Microsemi代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Microsemi品牌LOGO
更多Microsemi产品：
Microsemi公司授权代理商
InterFET
Good-Ark
SPARK
CR Magnetics
VINATech
JAN1N6471US（制造商：Microsemi） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台