JAN1N6105US - Microsemi
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图片信息
JAN1N6105US
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
TVS - 二极管,封装:SQ-MELF,B
技术参数:
TVS DIODE 6.9V 14.07V B SQ-MELF
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JAN1N6105US 技术参数详情:
制造商产品型号:JAN1N6105US
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:TVS DIODE 6.9V 14.07V B SQ-MELF
系列:TVS - 二极管
产品系列:Military, MIL-PRF-19500/516
零件状态:有源
类型:齐纳
单向通道:-
双向通道:1
电压-反向断态(典型值):6.9V
电压-击穿(最小值):8.22V
不同Ipp时电压-箝位(最大值):14.07V
电流-峰值脉冲(10/1000s):35.44A
功率-峰值脉冲:500W
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时电容:-
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:SQ-MELF,B
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