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JAN1N6103US - Microsemi
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图片信息
JAN1N6103US 图片
JAN1N6103US
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:B，SQ-MELF
  • 技术参数：TVS DIODE 5.7VWM 11.76VC SQMELF
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JAN1N6103US 技术参数详情：
  • 型号:JAN1N6103US
  • 品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
  • 封装:B，SQ-MELF
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 5.7VWM 11.76VC SQMELF
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态（典型值）:5.7V
  • 电压 - 击穿（最小值）:6.77V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:11.76V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):42.37A
  • 功率 - 峰值脉冲:500W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:军用
  • 资质:MIL-PRF-19500/516
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SQ-MELF，B
  • 供应商器件封装:B，SQ-MELF
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