APTMC120AM16CD3AG 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APTMC120AM16CD3AG
- 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
- 描述：MODULE SIC DIODE 1200V 98A D3
- 系列：-
- FET 类型：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：131A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 100A， 20V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 5mA（标准）
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：246nC @ 20V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4750pF @ 1000V
- 功率 - 最大值：625W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：D3
- 供应商器件封装：D3
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