射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
APTM60A11FT1G - Microsemi
Microsemi代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
APTM60A11FT1G 图片
APTM60A11FT1G
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:SP1
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
  • 需要APTM60A11FT1G的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
APTM60A11FT1G 技术参数详情：
  • 型号:APTM60A11FT1G
  • 品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
  • 封装:SP1
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:600V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:132 毫欧 @ 33A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:330nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10552pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:390W
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP1
  • 供应商器件封装:SP1
  • 快速提供APTM60A11FT1G专业且全面的报价，Microsemi代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Microsemi品牌LOGO
更多Microsemi产品：
Microsemi公司授权代理商
Jacob
AK-Nord
fastSiC
Oslo Switch
Diamond Systems
APTM60A11FT1G（制造商：Microsemi） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台