APTM50DHM38G - Microsemi
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图片信息
APTM50DHM38G
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:SP6
技术参数:
MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
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APTM50DHM38G 技术参数详情:
型号:APTM50DHM38G
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:SP6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):500V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):246nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):11200pF @ 25V
功率 - 最大值:694W
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
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