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APTM50DDA10T3G - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
APTM50DDA10T3G 图片
APTM50DDA10T3G
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：场效应管模块，SP3
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
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APTM50DDA10T3G 技术参数详情：
  • Microsemi美高森美完整型号：APTM50DDA10T3G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
  • 系列：-
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：37A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 18.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：96nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4367pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：312W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SP3
  • 供应商器件封装：SP3
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