APTM50DAM38TG - Microsemi
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图片信息
APTM50DAM38TG
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:SP4
技术参数:
MOSFET N-CH 500V 90A SP4
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APTM50DAM38TG 技术参数详情:
制造商产品型号:APTM50DAM38TG
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:MOSFET N-CH 500V 90A SP4
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):500V
25°C时电流-连续漏极(Id):90A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 45A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):246nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):11200pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):694W(Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
器件封装:SP4
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