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APTM120DA30T1G - Microsemi
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图片信息
APTM120DA30T1G 图片
APTM120DA30T1G
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:SP1
  • 技术参数：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
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APTM120DA30T1G 技术参数详情：
  • 型号:APTM120DA30T1G
  • 品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
  • 封装:SP1
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:560 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14560 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:657W（Tc）
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 供应商器件封装:SP1
  • 封装/外壳:SP1
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