APTM10HM09FTG - Microsemi
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图片信息
APTM10HM09FTG
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SP4
技术参数:
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4
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APTM10HM09FTG 技术参数详情:
制造商产品型号:APTM10HM09FTG
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:4 个 N 通道(H 桥)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):100V
25°C时电流-连续漏极(Id):139A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 69.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):350nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):9875pF @ 25V
功率-最大值:390W
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:SP4
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