射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
APTM10DDAM09T3G - Microsemi
Microsemi代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
APTM10DDAM09T3G 图片
APTM10DDAM09T3G
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP3
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
  • 需要APTM10DDAM09T3G的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
APTM10DDAM09T3G 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：APTM10DDAM09T3G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：139A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 69.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：350nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：9875pF @ 25V
  • 功率-最大值：390W
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP3
  • 快速提供APTM10DDAM09T3G专业且全面的报价，Microsemi代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Microsemi品牌LOGO
更多Microsemi产品：
Microsemi公司授权代理商
RAFI
CSR
Option NV
Trafag
Agere Systems
APTM10DDAM09T3G（制造商：Microsemi） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台