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APTM100VDA35T3G - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
APTM100VDA35T3G 图片
APTM100VDA35T3G
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP3
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
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APTM100VDA35T3G 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：APTM100VDA35T3G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：POWER MOS 7
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：1000V（1kV）
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：22A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：420 毫欧 @ 11A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：186nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 25V
  • 功率-最大值：390W
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP3
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