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APTM100H80FT1G - Microsemi
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图片信息
APTM100H80FT1G 图片
APTM100H80FT1G
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP1
  • 技术参数：MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
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APTM100H80FT1G 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：APTM100H80FT1G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：4 个 N 通道（H 桥）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：1000V（1kV）
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：960 毫欧 @ 9A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：150nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3876pF @ 25V
  • 功率-最大值：208W
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP1
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