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APTGV30H60T3G - Microsemi
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图片信息
APTGV30H60T3G 图片
APTGV30H60T3G
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：SP3
  • 技术参数：IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3
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APTGV30H60T3G 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：APTGV30H60T3G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3
  • 系列：晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：NPT，沟槽型场截止
  • 配置：全桥反相器
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：50A
  • 功率-最大值：90W
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，30A
  • 电流-集电极截止（最大值）：250A
  • 不同Vce时输入电容(Cies)：1.6nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：是
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP3
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