APTGT50DH60TG - Microsemi
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图片信息
APTGT50DH60TG
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
晶体管 - IGBT - 模块,封装:SP4
技术参数:
IGBT MODULE 600V 80A 176W SP4
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APTGT50DH60TG 技术参数详情:
制造商产品型号:APTGT50DH60TG
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP4
系列:晶体管 - IGBT - 模块
零件状态:停产
IGBT类型:沟槽型场截止
配置:非对称桥
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):80A
功率-最大值:176W
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A
电流-集电极截止(最大值):250A
不同Vce时输入电容(Cies):3.15nF @ 25V
输入:标准
NTC热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:SP4
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