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APTGT35H120T3G - Microsemi
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图片信息
APTGT35H120T3G 图片
APTGT35H120T3G
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块，封装:SP3
  • 技术参数：IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3
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APTGT35H120T3G 技术参数详情：
  • 型号:APTGT35H120T3G
  • 品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
  • 封装:SP3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 配置:全桥反相器
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:55 A
  • 功率 - 最大值:208 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:250 A
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):2.5 nF @ 25 V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP3
  • 供应商器件封装:SP3
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