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APTGT35DA120D1G - Microsemi
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图片信息
APTGT35DA120D1G 图片
APTGT35DA120D1G
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：D1
  • 技术参数：IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1
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APTGT35DA120D1G 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：APTGT35DA120D1G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1
  • 系列：晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 配置：单路
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：55A
  • 功率-最大值：205W
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，35A
  • 电流-集电极截止（最大值）：5mA
  • 不同Vce时输入电容(Cies)：2.5nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：无
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：D1
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