APTGL60DH120T3G - Microsemi
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图片信息
APTGL60DH120T3G
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
晶体管 - IGBT - 模块,封装:SP3
技术参数:
IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3
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APTGL60DH120T3G 技术参数详情:
制造商产品型号:APTGL60DH120T3G
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3
系列:晶体管 - IGBT - 模块
零件状态:停产
IGBT类型:沟槽型场截止
配置:非对称桥
电压-集射极击穿(最大值):1200V
电流-集电极(Ic)(最大值):80A
功率-最大值:280W
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.25V @ 15V,50A
电流-集电极截止(最大值):250A
不同Vce时输入电容(Cies):2.77nF @ 25V
输入:标准
NTC热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:SP3
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