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APTC90DSK12T1G - Microsemi
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图片信息
APTC90DSK12T1G 图片
APTC90DSK12T1G
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP1
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
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APTC90DSK12T1G 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：APTC90DSK12T1G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：CoolMOS
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N 沟道（双路降压斩波器）
  • FET功能：超级结
  • 漏源电压（Vdss）：900V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：30A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 26A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 3mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：270nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6800pF @ 100V
  • 功率-最大值：250W
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP1
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