APTC60DDAM35T3G - Microsemi
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图片信息
APTC60DDAM35T3G
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
场效应管模块,SP3
技术参数:
MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3
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APTC60DDAM35T3G 技术参数详情:
Microsemi美高森美完整型号:APTC60DDAM35T3G
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):72A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):35 毫欧 @ 72A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):518nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14000pF @ 25V
功率 - 最大值:416W
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
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