APT85GR120B2 - Microsemi
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图片信息
APT85GR120B2
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:T-MAX
技术参数:
IGBT NPT 1200V 170A T-MAX
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APT85GR120B2 技术参数详情:
型号:APT85GR120B2
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:T-MAX
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT NPT 1200V 170A T-MAX
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
IGBT 类型:NPT
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):170 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):340 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):3.2V @ 15V,85A
功率 - 最大值:962 W
开关能量:6mJ(导通),3.8mJ(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:660 nC
25°C 时 Td(开/关)值:43ns/300ns
测试条件:600V,85A,4.3 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:T-MAX
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