APT75GN60B2DQ3G - Microsemi
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图片信息
APT75GN60B2DQ3G
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-264-3,TO-264AA
技术参数:
IGBT 600V 155A 536W TO264
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APT75GN60B2DQ3G 技术参数详情:
制造商产品型号:APT75GN60B2DQ3G
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:IGBT 600V 155A 536W TO264
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:停产
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):155A
电流-集电极脉冲(Icm):225A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,75A
功率-最大值:536W
开关能量:2500J(开),2140J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:485nC
25°C时Td(开/关)值:47ns/385ns
测试条件:400V,75A,1 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-
安装类型:通孔
封装:TO-264-3,TO-264AA
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