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APT50GT60BRDQ2G - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
APT50GT60BRDQ2G 图片
APT50GT60BRDQ2G
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：单路IGBT，TO-247
  • 技术参数：IGBT 600V 110A 446W TO247
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APT50GT60BRDQ2G 技术参数详情：
  • Microsemi美高森美完整型号：APT50GT60BRDQ2G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：IGBT 600V 110A 446W TO247
  • 系列：Thunderbolt IGBT
  • IGBT 类型：NPT
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：110A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：150A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.5V @ 15V，50A
  • 功率 - 最大值：446W
  • Switching Energy：995J （开）， 1070J （关）
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：240nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值：14ns/240ns
  • Test Condition：400V, 50A, 5 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr)：22ns
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-247 [B]
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