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APT50GT120B2RDLG - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
APT50GT120B2RDLG 图片
APT50GT120B2RDLG
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3 变式
  • 技术参数：IGBT 1200V 106A 694W TO-247
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APT50GT120B2RDLG 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：APT50GT120B2RDLG
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：IGBT 1200V 106A 694W TO-247
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：Thunderbolt IGBT
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：NPT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：106A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：150A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：3.7V @ 15V，50A
  • 功率-最大值：694W
  • 开关能量：3585J（开），1910J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：240nC
  • 25°C时Td（开/关）值：23ns/215ns
  • 测试条件：800V，50A，4.7 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3 变式
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