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APT45GR65BSCD10 - Microsemi
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图片信息
APT45GR65BSCD10 图片
APT45GR65BSCD10
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
  • 技术参数：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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APT45GR65BSCD10 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：APT45GR65BSCD10
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：NPT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：118A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：224A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，45A
  • 功率-最大值：543W
  • 开关能量：-
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：203nC
  • 25°C时Td（开/关）值：15ns/100ns
  • 测试条件：433V，45A，4.3 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：80ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
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