APT30GP60B2DLG - Microsemi
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图片信息
APT30GP60B2DLG
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
技术参数:
IGBT 600V 100A 463W TMAX
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APT30GP60B2DLG 技术参数详情:
制造商产品型号:APT30GP60B2DLG
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:IGBT 600V 100A 463W TMAX
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:有源
IGBT类型:PT
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):100A
电流-集电极脉冲(Icm):120A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,30A
功率-最大值:463W
开关能量:260J(开),250J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:90nC
25°C时Td(开/关)值:13ns/55ns
测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-247-3
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