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APT25GR120BSCD10 - Microsemi
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图片信息
APT25GR120BSCD10 图片
APT25GR120BSCD10
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
  • 技术参数：IGBT 1200V 75A 521W TO247
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APT25GR120BSCD10 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：APT25GR120BSCD10
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：IGBT 1200V 75A 521W TO247
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：NPT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：75A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：100A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V，25A
  • 功率-最大值：521W
  • 开关能量：434J（开），466J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：203nC
  • 25°C时Td（开/关）值：16ns/122ns
  • 测试条件：600V，25A，4.3 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
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