APT15GT60BRDQ1G - Microsemi
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图片信息
APT15GT60BRDQ1G
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
单路IGBT,TO-247
技术参数:
IGBT 600V 42A 184W TO247
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APT15GT60BRDQ1G 技术参数详情:
Microsemi美高森美完整型号:APT15GT60BRDQ1G
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:IGBT 600V 42A 184W TO247
系列:Thunderbolt IGBT
IGBT 类型:NPT
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):42A
Current - Collector Pulsed (Icm):45A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 15V,15A
功率 - 最大值:184W
Switching Energy:150J (开), 215J (关)
输入类型:标准
Gate Charge:75nC
25°C 时 Td(开/关)值:6ns/105ns
Test Condition:400V, 15A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247 [B]
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