APT15GT120BRDQ1G - Microsemi
Microsemi代理商
全球现货渠道
强大的现货交付能力,轻松满足您的射频微波器件采购需求
首页
产品中心
典型品牌
热门器件
行业新闻
关于我们
联系我们
热门关注品牌:
ept
Agilink
Parlex
Arlitech
Toshiba
THine
图片信息
APT15GT120BRDQ1G
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-247 [B]
技术参数:
IGBT NPT 1200V 36A TO247
需要APT15GT120BRDQ1G的报价? 那就马上联系我们吧!
最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购
APT15GT120BRDQ1G 技术参数详情:
型号:APT15GT120BRDQ1G
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:TO-247 [B]
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT NPT 1200V 36A TO247
包装:管件
产品状态:停产
IGBT 类型:NPT
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):36 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):45 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,15A
功率 - 最大值:250 W
开关能量:585J(导通),260J(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:105 nC
25°C 时 Td(开/关)值:10ns/85ns
测试条件:800V,15A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247 [B]
快速提供
APT15GT120BRDQ1G
专业且全面的报价,
Microsemi代理
货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多Microsemi产品:
A42MX09-PLG84A
FPGA现场可编程门阵列
APTGV50H60BG
晶体管 - IGBT - 模块
MASMLG11CA
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
1PMT5918CE3/TR7
二极管 - 齐纳 - 单
MXLP4KE24AE3
二极管TVS
SMBJ40AE3/TR13
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
MXLLCE20A
二极管TVS
SMLJ43CAE3/TR13
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
MASMBJ11A
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
5819SMGE3/TR13
二极管 - 整流器 - 单
CC-NMNMT025
电缆组件 > 同轴电缆(射频) > 套管音频电缆
LCWB-48
盒子,外壳,机架 > 箱
7200L12TP
FIFO存储器芯片
09553566613741
D-Sub 连接器
LCCA30209-FT2
电缆组件 > 同轴电缆(射频) > 套管音频电缆
Microsemi公司授权代理商
IDT
Diamond Systems
BJ-USA
SunFounder
ROTH
APT15GT120BRDQ1G
(制造商:Microsemi) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台