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APT12067B2FLLG - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
APT12067B2FLLG 图片
APT12067B2FLLG
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：单端场效应管，T-MAX
  • 技术参数：MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
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APT12067B2FLLG 技术参数详情：
  • Microsemi美高森美完整型号：APT12067B2FLLG
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
  • 系列：POWER MOS 7
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：670 毫欧 @ 9A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：150nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4420pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：565W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3 变式
  • 供应商器件封装：T-MAX [B2]
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