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APT100GT120JRDQ4 - Microsemi
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图片信息
APT100GT120JRDQ4 图片
APT100GT120JRDQ4
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块，封装:ISOTOP
  • 技术参数：IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
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APT100GT120JRDQ4 技术参数详情：
  • 型号:APT100GT120JRDQ4
  • 品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
  • 封装:ISOTOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:NPT
  • 配置:单路
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:123 A
  • 功率 - 最大值:570 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:3.7V @ 15V，100A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:200 A
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):7.85 nF @ 25 V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:无
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:ISOTOP
  • 供应商器件封装:ISOTOP
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