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APT100GN120B2G - Microsemi
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图片信息
APT100GN120B2G 图片
APT100GN120B2G
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:-
  • 技术参数：IGBT TRENCH FIELD STP 1200V 245A
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APT100GN120B2G 技术参数详情：
  • 型号:APT100GN120B2G
  • 品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FIELD STP 1200V 245A
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:245 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，100A
  • 功率 - 最大值:960 W
  • 开关能量:11mJ（导通），9.5mJ（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:540 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/615ns
  • 测试条件:800V，100A，1 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3 变式
  • 供应商器件封装:-
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