射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
APT1002RBNG - Microsemi
Microsemi代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
APT1002RBNG 图片
APT1002RBNG
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-247AD
  • 技术参数：MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
  • 需要APT1002RBNG的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
APT1002RBNG 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：APT1002RBNG
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：POWER MOS IV
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：1000V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 4A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：105nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1800pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：240W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-247AD
  • 快速提供APT1002RBNG专业且全面的报价，Microsemi代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Microsemi品牌LOGO
更多Microsemi产品：
Microsemi公司授权代理商
RICOH
Matrix
Megawin
VINATech
Agilink
APT1002RBNG（制造商：Microsemi） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台